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CN101152651B一种陶瓷零件表面的清洗方法[caired.com-彩红网3D模型下载平面素材专利检索网站源码]

本发明所述的陶瓷零件表面的清洗方法,在清洗过程中采用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液和超纯水对零部件进行清洗,可以有效的去除附着于陶瓷零件表面的聚合物薄膜,且步骤简单方便,清洗效果理想,而且不会对陶瓷表面造成损伤。应用此方法对半导体工艺一段时间后的陶瓷零部件清洗后,陶瓷零部件表面的污染物完全被除去,且陶瓷件的表面没有遭到损伤,清洗后的陶瓷零部件完全满足正常工艺的要求,达到清洗效果。
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技术领域

[0001] 本发明涉及一种物体的清洗方法,尤其涉及微电子工艺过程中的一种陶瓷零件表 面的清洗方法。

背景技术

[0002] 随着半导体芯片技术的发展,技术节点已从250nm发展到65nm,甚至45nm以下,硅 片的大小也从200mm增加到300mm,在这样的情况下,每片硅片的成本变得越来越高。对加 工硅片的工艺要求越来越严格。半导体的加工需要经过多道工序,包括沉积、光刻、刻蚀、侧 墙等,刻蚀工艺是其中较为复杂的一个,等离子体刻蚀过程中等离子体的状态、各项工艺过 程参数等与刻蚀结果直接相关。

[0003] 半导体多晶硅栅极干法刻蚀工艺过程中,随着反应地进行,往往会产生很多副产 物。副产物在反应室的工艺环境中,会发生一系列的分裂聚合反应,重新组合为成分结构复 杂的聚合物。一部分这类副产物可以随着反应室的气流被分子泵和干泵排出反应室,另一 部分就会附着在反应室内壁上。这种附着于内壁上的副产物聚合物膜会随着工艺的继续进 行而不断累积,而且这层薄膜稳定性不强,随时会从内壁上脱落下来污染到硅片,而且会影 响到腔室得工艺状态,使得刻蚀速率漂移、刻蚀速率均勻性降低。其次还会造成硅片污染、 关键尺寸损失及刻蚀缺陷产生。所以需要对反应室内部裸露于工艺环境的零件进行定期清 洗。

[0004] 一般多晶硅刻蚀工艺中使用的主要刻蚀剂包括C12、HBr、02和一些含氟气体,在 经过和Si的反应后,产生的聚合物薄膜的主要成分是-Cl-Si-0-Br-的混合物,结构复杂。

[0005] 半导体侧墙(spacer)干法刻蚀工艺过程中,随着反应地进行,使用的主要刻蚀剂 包括CF4、HBr、He或其他含氟气体,在经过和Si的反应后,往往会产生很多副产物。产生的 聚合物薄膜的主要成分是-F-Si-Br-的混合物,结构复杂。副产物在反应室的工艺环境中, 会发生一系列的分裂聚合反应,重新组合为成分结构复杂的聚合物。一部分这类副产物可 以随着反应室的气流被分子泵和干泵排出反应室,另一部分就会附着在反应室内壁上。这 种附着于内壁上的副产物聚合物膜会随着工艺的继续进行而不断累积,而且这层薄膜稳定 性不强,随时会从内壁上脱落下来污染到硅片,所以需要对反应室内部裸露于工艺环境的 零件进行定期清洗。

[0006] 通常的清洗手段是采用HN03+HF浸泡、再利用金刚砂纸擦洗的方法进行清洗。清 洗过程中,由于陶瓷零件本身的特性与其他金属零件不同,这种方法在清除聚合物的同时, 不仅清除过程耗时耗力,容易损伤陶瓷表面,而且对于聚合物清洗效果不甚理想,残留深灰 色斑迹。

发明内容

[0007] 本发明的目的是提供一种陶瓷零件表面的清洗方法,可以实现对陶瓷零件表面的 进行湿法清洗,对零件表面损伤小,且完全满足使用要求。[0008] 本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

[0009] 一种陶瓷零件表面的清洗方法,包括以下步骤:

[0010] A、用有机溶剂清洗零件表面;

[0011] B、用碱性溶液和/或酸性溶液清洗零件表面;

[0012] C、将零件放入高温烧结炉中进行煅烧处理,目的是去除零部件表面仍然残留的顽固污迹;

[0013] D、将零件放入超声槽中,清洗设定的时间。

[0014] 所述的步骤A包括:

[0015] Al、用有机溶剂擦拭零件,直至无带色的杂质脱落;和/或,

[0016] A2、用有机溶剂浸泡零件设定的浸泡时间,再用洁净的擦拭物擦拭零件,直至无带 色的杂质脱落。

[0017] 所述的步骤A之前还包括:

[0018] 用超纯水冲洗零件表面设定的冲洗时间,并用洁净的擦拭物擦拭零件,直至无带 色的杂质脱落;

[0019] 所述的步骤A之后还包括:用超纯水冲洗零件表面设定的冲洗时间,并用洁净的 高压气体吹干零件的表面。

[0020] 所述的步骤B中,用碱性溶液浸泡零件设定的清洗时间。

[0021] 所述的步骤B中,用酸性溶液擦拭零件,不超过设定的擦拭时间。

[0022] 所述的步骤B的清洗零件表面之后还包括:

[0023] 用洁净的擦拭物擦拭零件,直至无带色的杂质脱落;和/或,

[0024] 用超纯水冲洗零件表面设定的冲洗时间,并用洁净的高压气体吹干零件的表面。

[0025] 所述的有机溶剂为:

[0026] 异丙醇或丙酮,且所述的异丙醇或丙酮满足电子纯级别要求;

[0027] 所述的碱性溶液为:

[0028] NH4OH : H2O2 : H2O 为 1 〜4 : 0. 5 〜3 : 1-10 ;

[0029] 所述的酸性溶液为:

[0030] HNO3 : HF : H2O 为 1 〜5 : 0. 5 〜2 : I-IO0

[0031] 所述的步骤C中的煅烧处理过程包括:

[0032] 放入高温烧结炉中,从室温加热到600〜1000°C,在此温度烘烤0. 5〜1. 5小时, 然后降到50-60°C,取出零部件。

[0033] 该方法最后还包括:

[0034] 用超纯水冲洗零件表面设定的冲洗时间,并用洁净的高压气体吹干零件的表面; 再用用洁净的擦拭物擦拭零件。

[0035] 由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明所述的陶瓷零件表面的清洗方 法,在清洗过程中采用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液和超纯水对零部件进行清洗,可以有 效的去除附着于陶瓷零件表面的聚合物薄膜,且步骤简单方便,清洗效果理想,而且不会对 陶瓷表面造成损伤。应用此方法对半导体工艺一段时间后的陶瓷零部件清洗后,陶瓷零部 件表面的污染物完全被除去,且陶瓷件的表面没有遭到损伤,清洗后的陶瓷零部件完全满 足正常工艺的要求,达到清洗效果。具体实施方式

[0036] 本发明所述的阳极氧化零件表面的清洗方法,其核心是

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