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CN103497003B一种防静电陶瓷材料及其制备方法[caired.com-彩红网3D模型下载平面素材专利检索网站源码]

本发明公开了一种防静电陶瓷材料及其制备方法,该防静电陶瓷材料以部分稳定氧化锆陶瓷材料为基体,基体表面存在厚度≥2微米的表面改性层,表面改性层中含有铁元素和碳元素。该防静电陶瓷材料的制备方法包括将部分稳定氧化锆陶瓷材料置于耐高温坩埚内用铁粉进行包埋,然后在与空气直接接触的铁粉外覆盖石墨粉,再将含部分稳定氧化锆陶瓷材料、铁粉包埋层和石墨粉层的耐高温坩埚置于电阻炉中加热升温至1000℃~1400℃并保温2h~20h,冷却后去除耐高温坩埚、陶瓷材料表面黏附的石墨和铁,得到防静电陶瓷材料。本发明的防静电陶瓷材料具有良好的防静电功能,制备方法工艺简单、操作方便、且成本低廉。
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技术领域

[0001] 本发明属于特种陶瓷材料制备技术领域,具体涉及一种防静电陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

[0002] 静电现象在电子信息、石油化工、纺织、油漆、研磨粉碎和烟花爆竹等工业领域非常普遍。静电荷的聚集很可能引起巨大的危害,例如静电荷聚集放电很容易干扰精密仪器运行甚至烧毁微电子元器件,美国每年由于静电而造成电子元器件失效的损失约为100~200亿美元。静电聚集会导致医药或超净空间引尘和引菌;容易引起矿山、石油化工企业和烟花爆竹企业火灾爆炸;在粉体工业,静电荷聚集会引起粉料在研磨介质上的聚集,严重影响研磨效率;静电聚集在纺织行业还会造成纤维聚集。

[0003]目前,防静电材料主要包括以下几类:

[0004] (I)高分子基复合材料。在高分子材料中加入碳黑、石墨、短切纤维、导电云母粉、碳纳米管等或者直接利用高分子材料自身形成的导电通路制备成高分子基防静电材料或者涂层。Zhifei Li,Guohua Luo等在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)添加碳纳米管制成的高分子复合防静电材料,体积电阻率达到13 Ω.cm0这类防静电材料存在的问题包括均匀性难以控制、耐久性、耐高温和耐磨擦磨损性能差等。

[0005] (2)防静电釉。防静电釉主要用于建筑陶瓷材料,是在传统釉粉中加入半导体导体氧化物颗粒、导电纤维,借助导电颗粒或导电纤维形成的网络实现防静电功能。Claud1Fontanesi, Cristina Leonelli等通过在传统釉中添加SnO2> Sb2O3,体积电阻率达到15 Ω 但是,制造防静电釉层是和传统陶瓷材料制备技术结合在一起,制品气孔率高,力学性能较低,主要用于防静电台板、墙地砖等。

发明内容

[0006] 本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种具有良好的防静电功能的陶瓷材料,还提供一种工艺简单、操作方便、成本低廉的防静电陶瓷材料的制备方法。

[0007] 为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为一种防静电陶瓷材料,所述防静电陶瓷材料以部分稳定氧化锆陶瓷材料为基体,所述基体表面存在表面改性层,所述表面改性层中含有铁元素和碳元素,所述表面改性层的厚度> 2微米。

[0008]上述的防静电陶瓷材料中,优选的,所述部分稳定氧化锆陶瓷材料为氧化钇部分稳定氧化锆陶瓷材料或氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷材料。

[0009] 作为一个总的技术构思,本发明还提供了一种防静电陶瓷材料的制备方法,包括将部分稳定氧化锆陶瓷材料置于耐高温坩埚内用铁粉进行包埋,在部分稳定氧化锆陶瓷材料的外围形成铁粉包埋层,铁粉包埋层的厚度不小于5_,然后在与空气直接接触的铁粉外覆盖一层石墨粉,石墨粉层的厚度不小于10_,将含部分稳定氧化锆陶瓷材料、铁粉包埋层和石墨粉层的耐高温坩埚置于电阻炉中加热升温至1000°C~1400°C,并保温2h~20h,冷却后去除耐高温坩埚、陶瓷材料表面黏附的石墨和铁,得到防静电陶瓷材料。

[0010] 上述的制备方法中,优选的,所述部分稳定氧化锆陶瓷材料为氧化钇部分稳定氧化锆陶瓷材料或氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷材料。

[0011] 上述的制备方法中,优选的,所述铁粉为还原铁粉或雾化铁粉。

[0012] 上述的制备方法中,优选的,所述电阻炉的炉内气氛为空气气氛、惰性气体保护气氛或真空。

[0013] 与现有技术相比,本发明的优点在于:

[0014] (I)本发明以部分稳定氧化锆陶瓷为基体,充分利用了氧化锆基体本身优异的物理化学性能,赋予其防静电功能,扩大了应用领域;表面改性层中存在具有静电耗散功能的铁元素和碳元素,具备此种结构的材料具有良好的防静电功能。

[0015] (2)本发明采用了表面改性的方法,利用扩散理论,通过高温浸渗,使得氧化锆陶瓷在表层形成> 2微米厚度的表面改性层,表面改性层中存在可供静电耗散的铁兀素和碳元素,形成静电耗散网络,操作方便,工艺简单,易于控制,成本低廉。

附图说明

[0016] 图1为本发明实施例中含部分稳定氧化锆陶瓷方片、铁粉包埋层和石墨粉层的氧化铝陶瓷坩埚结构示意图。

[0017] 图2为本发明实施例1制备的防静电氧化锆基陶瓷浸渗铁截断面的扫描电子显微镜照片。

[0018] 图3为本发明实施例1制备的防静电氧化锆基陶瓷浸渗铁截断面表面改性层区域的X射线能谱。

[0019] 图例说明:

[0020] 1、部分稳定氧化锆陶瓷方片;2、氧化铝陶瓷坩埚;3、石墨粉层;4、铁粉包埋层。

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